规格书 |
MPSH10, MMBTH10 |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | NPN |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 25V |
频率转换 | 650MHz |
噪声系数 (dB Typ @ f) | - |
增益 | - |
功率 - 最大 | 350mW |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 60 @ 4mA, 10V |
集电极电流(Ic)(最大) | 50mA |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Bulk;;其他的名称; |
集电极最大直流电流 | 0.05 |
最小直流电流增益 | 60@4mA@10V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 350 |
最大基地发射极电压 | 3 |
Maximum Transition Frequency | 650(Min) |
封装 | Bulk |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 30 |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大集电极发射极电压 | 25 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 50mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 650MHz |
标准包装 | 2,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 25V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 350mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 60 @ 4mA, 10V |
其他名称 | MPSH10FS |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
频率 - 跃迁 | 650MHz |
晶体管类型 | NPN |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 60 @ 4mA, 10V |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
功率 - 最大值 | 350mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 25V |
associated | 80-4-5 |
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